MT40A512M16LY-062E

● 型号：MT40A512M16LY-062E:E

● 描述： 该款为镁光出品的高速大容量 DDR4 同步动态存储颗粒，核心供电电压 VDD 与 VDDQ 统一标准为 1.2V，电压浮动误差控制在 ±60mV 以内，编程升压引脚 VPP 额定电压 2.5V，具备精准电压浮动余量设计。芯片内置集成式可调节 VREFDQ 参考电压生成电路，无需外置分压电路即可完成基准电压配置，IO 端口采用 1.2V 伪开漏电气架构，信号传输驱动能力强且电平匹配性极佳。器件具备严苛的温度环境适配能力，工作温区覆盖 - 40℃至 85℃全工业常用温度区间，在此温度范围内标准 8192 行周期刷新时长固定为 64ms，时序运行稳定无误码。产品工艺成熟可靠，数据读写速率快、时序余量充足，抗电磁干扰性能优异，高低温环境下存储运行状态始终平稳，广泛应用于工控核心主板、嵌入式高性能运算平台、网络服务器缓存单元、高清图像视频处理设备以及各类工业级高端智能硬件的高速运行内存拓展场景之中。

● 品牌：micron (镁光)

● 产品类型：工业级 DDR4 高速 SDRAM 存储颗粒

● 封装：FBGA-96 (7.5x13.5)