MT53D512M32D2DS-053WT:D

● 型号：MT53D512M32D2DS-053 WT:D

● 描述： 采用超低电压内核与 IO 供电设计，内核供电 1.70V 至 1.95V，典型值 1.80V。 核心与 DQ 供电为 1.06V 至 1.17V，典型值 1.10V，同时支持 0.57V 至 0.65V 超低 DQ 低压档位。 工作频率区间 10MHz 至 2133MHz，单引脚数据传输速率可达 20Mb/s 至 4266Mb/s。 搭载 16n 预取 DDR 架构，单通道内置 8 个内部存储阵列，可实现多组并发读写操作。 整体功耗控制出色，运行时序稳定，高速读写性能强劲，适配高端嵌入式设备、智能终端及高性能工控设备运存使用。

● 品牌：micron (镁光)

● 封装：WFBGA-200