NT5AD512M16C4-JRI

● 型号：NT5AD512M16C4-JRI

● 产品类型：南亚科技 DDR4 高速动态随机存储颗粒

● 描述： 严格遵循 DDR4 行业标准设计，搭载 8n 预取架构，大幅提升数据预读取效率与整体传输效率。 采用差分时钟 CK/CK 以及差分数据选通 DQS/DQS 信号设计，信号传输抗干扰能力强，时序稳定性极佳。 在 DQS、互补 DQS 与 DM 信号端实现双倍数据速率传输，有效拉高 DRAM 整体访问带宽，满足高速数据吞吐需求。 采用按存储体组独立划分的 I/O 门控架构，精准管控各区域功耗，降低无效能耗损耗。 内置自刷新中止功能，可灵活调控刷新工作模式，适配低功耗运行场景。 电气参数稳定，工作温域宽泛，读写时序精准，硬件兼容性出众。 采用 TFBGA-96 精密球栅封装，集成度高、布线便捷，适配高密度电路板设计。 多用于嵌入式主控运存、工业主板内存、网络设备缓存、智能终端、工控设备高速数据缓存等场景。

● 品牌：Nanya (南亚科技)

● 封装：TFBGA-96