HMC903LP3E

● 型号：HMC903LP3E

● 产品类型：ADI（亚德诺）GaAs pHEMT MMIC 低噪声放大器（LNA）

● 描述： 基于砷化镓（GaAs）赝晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺的单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器，工作频率覆盖 6GHz～17GHz，适配毫米波与微波高频放大场景。 6GHz～16GHz 频段典型小信号增益 18.5dB，噪声系数低至 1.7dB，全频段输出三阶交调截点（IP3）达 25dBm，信号放大能力强、噪声抑制优异、线性度高。 单电源 3.5V 供电，典型工作电流 80mA，支持可选偏置控制以降低静态电流（IDQ），功耗低、能效比高。 1dB 压缩输出功率（P1dB）典型值 14.5dBm，可作为混频器本振驱动或小信号高线性放大单元。 输入 / 输出端口内部匹配 50Ω 并带直流隔离，无需外部匹配电路，可直接接入 50Ω 射频系统，支持多芯片级联设计。 采用 3×3mm、16 引脚 QFN-16-EP（LFCSP）裸露焊盘封装，体积紧凑，散热性能优良，适配高密度射频 PCB 布局。 工作温度范围 - 40℃～85℃，满足工业级与商业级高频应用可靠性要求。 适用于点对点 / 多点微波通信、卫星通信（VSAT）、测试测量设备、雷达前端、5G/6G 射频模块及军用高频信号接收系统等。

● 品牌：ADI（亚德诺）

● 封装：QFN-16-EP (3×3)