MT40A512M16LY-062E:E

● 型号：MT40A512M16LY-062E:E

● 产品类型：DDR4 SDRAM 高速同步动态存储器

● 描述： 工作主电源 VDD 与 VDDQ 额定 1.2V，容差 ±60mV；VPP 电压 2.5V，电压公差 - 125mV~+250mV；芯片内置可调 VREFDQ 参考电压生成电路，I/O 采用 1.2V 伪开漏架构；-40℃~85℃工作区间刷新周期 8192 个时钟、刷新时长 64ms。 7.5×13.5mm FBGA-96 封装。 多用于嵌入式主控内存、图像处理板卡、工业主控缓存。

● 品牌：micron (镁光)

● 封装：FBGA-96 (7.5×13.5)