IRF640NPBF

● 型号：IRF640NPBF

● 产品类型：N 沟道增强型功率 MOSFET

● 描述： 单管为 N 沟道功率场效应管，额定漏源耐压 200V，连续漏极额定电流 18A，栅极驱动电压 10V 条件下导通内阻典型值 150mΩ，采用垂直 DMOS 工艺制造，开关特性平稳，具备低导通损耗优势。器件内置源漏寄生续流二极管，可耐受感性负载反向电动势冲击，内置过流与雪崩耐量设计，栅极输入阻抗极高，驱动功耗小，能够适配开关电源、直流电机调速、逆变变换等功率回路，电气参数一致性优良，高低温工况下导通阻值波动小。

● 品牌：Infineon (英飞凌)

● 封装：TO-220AB