STFW3N150

● 型号：STFW3N150

● 产品类型：N 沟道高压功率 MOSFET 管

● 描述： 单管为 N 沟道增强型功率 MOS，额定漏源耐压 1500V，连续漏极额定电流 2.5A，栅源电压 VGS=10V 条件下导通内阻 Rds (on) 典型值 9Ω。采用 TO‑3PF 大功率直插封装，散热基板面积充足，适配高压开关电源、工频逆变、高压脉冲驱动等高压功率回路，器件内置寄生体二极管，具备一定反向续流能力，器件耐压余量充裕，适合高压小电流功率变换场景使用。

● 品牌：ST (意法半导体)

● 封装：TO-3PF