MT53E512M32D1ZW-046IT:B

● 型号：MT53E512M32D1ZW-046 IT:B

● 产品类型：LPDDR5 低功耗移动 DRAM 存储颗粒

● 描述： 采用多电源分区供电架构，内核 VDD1 电压区间 1.70V~1.95V（典型 1.80V）、VDD2 工作区间 1.06V~1.17V（典型 1.10V），DQ 端口 VDDQ 可选 0.57V~0.65V（标称 0.60V）或 1.06V~1.17V（标称 1.10V）双规格；单引脚数据速率覆盖 2133MHz~4266MHz 高速频段，存储排布为 512M×32bit 规格，总容量 2GB。TFBGA-200 小型贴片封装，搭载 LPDDR5 专属低功耗管理逻辑、动态电压调节与片内阻抗校准电路，优先用于高端智能终端、嵌入式主控、车载算力模组等空间受限且功耗管控严苛的硬件存储扩容场景。

● 品牌：micron (镁光)

● 封装：TFBGA-200