BUK6D120-40E

● 型号：BUK6D120-40E

● 产品类型：沟槽工艺 N 沟道增强型功率 MOSFET

● 描述： 采用 Trench 沟槽 MOSFET 制造工艺，为 N 沟道增强型架构，具备导通内阻低、开关损耗小、开关速率优异的电气特性，适配中小功率电源开关与负载驱动工况。封装规格为 2mm×2mm DFN2020MD‑6（SOT1220）六引脚贴片塑封，芯片底部配置大面积外露散热焊盘，导热效率突出，贴片布设占用 PCB 面积极小，广泛应用于 DC‑DC 变换电路、电池供电设备开关回路、继电器驱动等中小功率开关场景。

● 品牌：Nexperia (安世)

● 封装：DFN-6-MD (2×2)