MRFE6S9060NR1

● 型号：MRFE6S9060NR1

● 产品类型：NXP N 沟道横向 LDMOS 射频功率场效应管（原飞思卡尔产品线）

● 描述： 工作频段覆盖 470MHz~960MHz，标称漏极供电 28V、耐压 66V，880MHz 典型工况静态偏置电流 450mA，平均输出功率 14W，功率增益可达 21.1dB，漏极效率 33%，EDGE 制式下峰值平均输出 21W、效率提升至 46%；器件抗失配性能优异，可耐受 10:1 驻波比过载，内置 ESD 防护，芯片本体耐受峰值壳温 225℃，TO‑270‑2 塑封结构自带金属散热基底，导热性能突出，适配 CDMA、GSM 基站射频末级功率放大电路。

● 品牌：NXP (恩智浦)

● 封装：TO-270-2