MT53E256M32D2DS-053WT:B

● 型号：MT53E256M32D2DS-053 WT:B

● 产品类型：镁光 LPDDR5 低功耗移动型 DRAM 存储颗粒

● 描述： 存储规格 256M×32bit，单片容量 8GBit；采用多域分层供电设计，内核 VDD1 工作区间 1.70V~1.95V（典型 1.80V），VDD2 与常规 VDDQ 电压 1.06V~1.17V（典型 1.10V），可选超低功耗 VDDQ 档位 0.57V~0.65V（典型 0.60V）；基准时钟 10MHz~2133MHz，单引脚数据速率 20Mbps~4266Mbps，搭载 16n 预取 DDR 架构，单通道内置 8 个独立存储 Bank 支持多任务并发存取；工业温规格，VFBGA‑200 高密度小型封装，多用于高端便携处理器、车载主控、FPGA 大容量片外缓存拓展。

● 品牌：micron (镁光)

● 封装：VFBGA-200