MT40A256M16LY-062E:F

● 型号：MT40A256M16LY-062E:F

● 产品类型：micron 高速 DRAM 存储器

● 描述： 该存储芯片核心供电 VDD 与 VDDQ 均为 1.2V，公差 ±60mV，VPP 典型值 2.5V，电压浮动范围 - 125mV 至 + 250mV。芯片内置可调节 VREFDQ 生成电路，I/O 接口为 1.2V 伪开漏架构，工作温度最高可达 95℃。温度≤85℃时，刷新周期为 64ms、8192 个周期；85℃至 95℃区间则采用 32ms、8192 周期刷新模式。内部划分 16 个存储体，分为 4 组，每组包含 4 个存储体，支持 x4、x8 位宽配置。采用 7.5×13.5mm 规格的 FBGA-96 封装，结构稳固，适用于服务器、工控主板、嵌入式计算设备等内存应用场景。

● 品牌：micron (镁光)

● 封装：FBGA-96 (7.5x13.5)