MT40A1G8SA-062E:R

● 型号：MT40A1G8SA-062E:R

● 产品类型：micron (镁光) 高速 DRAM 存储颗粒

● 描述： 该存储芯片供电规范明确，VDD 与 VDDQ 典型电压为 1.2V，电压公差范围 ±60mV，VPP 供电电压为 2.5V，波动区间控制在 - 125mV 至 + 250mV。芯片搭载片上可调式 VREFDQ 参考电压生成电路，I/O 接口采用 1.2V 伪开漏架构，电气特性规整。在 - 40℃至 85℃全温域内，标准刷新周期为 8192 次循环，对应总刷新时长 64ms，可全程保障数据存储安全。器件运行稳定、信号完整性优秀，适配工业级、商用嵌入式设备、服务器内存模组等场景。采用 FBGA-78 封装，引脚布局紧凑，满足小型化 PCB 设计与贴片加工需求。

● 品牌：micron (镁光)

● 封装：FBGA-78