FDV301N

● 型号：FDV301N

● 产品类型：N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET

● 描述： 该器件采用高密度 DMOS 专属工艺制造，可大幅降低导通电阻，电气性能表现优异。作为逻辑电平驱动的单 N 沟道场效应管，主打低压应用场景，能够直接替代传统数字晶体管。芯片内部无需搭配外置偏置电阻，可兼容多款不同阻值规格的数字晶体管，简化外围电路设计。整体结构精简、使用灵活，适用于低压信号开关、小型负载驱动、数字电路切换等场合。采用标准 SOT-23 封装，体积小巧，贴装便捷，广泛应用于各类紧凑型电路板中。

● 品牌：onsemi (安森美)

● 封装：SOT-23