MT53D1024M32D4DT-046

● 型号：MT53D1024M32D4DT-046 WT:D

● 产品类型：超低电压 DDR 同步动态随机存储器

● 描述： 该款存储芯片采用 16n 预取 DDR 架构，供电分区明确，核心与 I/O 采用超低电压设计，VDD1 工作区间 1.70~1.95V，典型值 1.80V；VDD2 与常规 VDDQ 电压范围为 1.06~1.17V，典型值 1.10V，同时支持低功耗 VDDQ 模式，电压区间 0.57~0.65V，典型值 0.60V。工作频率覆盖 10MHz 至 2133MHz，单引脚数据速率可达 20~4266Mb/s。单通道内置 8 个独立存储体，支持并行读写操作，数据吞吐能力优异。采用 10×14.5mm 规格 VFBGA-200 封装，引脚排布紧凑，适配低功耗嵌入式、移动终端等对电压与功耗要求严苛的设备。

● 品牌：micron (镁光)

● 封装：VFBGA-200 (10x14.5)