ADS127L01IPBSR

● 型号：2N7002LT1G

● 产品类型：N 沟道小信号 MOS 场效应管

● 描述： 该器件为 N 沟道增强型 MOS 管，额定漏源耐压 60V，连续漏极电流 0.115A，栅极驱动电压 10V 时导通电阻为 7.5Ω。器件开关特性良好，体积小巧，功耗低，适用于小信号开关、电平转换、微弱信号放大及低压驱动电路。采用通用 SOT-23 贴片封装，贴装便捷，广泛应用于消费电子、小型控制电路、传感器接口、便携式设备等场景。

● 品牌：onsemi (安森美)

● 封装：SOT-23