MT53E256M32D2DS-053

● 型号：MT53E256M32D2DS-053 WT:B

● 产品类型：DDR 类高速动态随机存储器

● 描述： 该存储芯片采用超低电压供电设计，核心与 I/O 电源划分明确，VDD1 电压区间 1.70V-1.95V，典型值 1.80V；VDD2 与 VDDQ 常规档位为 1.06V-1.17V，标称 1.10V，同时支持 0.57V-0.65V 低压 VDDQ 模式，标称 0.60V，可灵活适配低功耗场景。工作频率覆盖 10MHz 至 2133MHz，对应单引脚数据速率可达 20Mb/s 至 4266Mb/s，传输带宽充足。搭载 16n 预取 DDR 架构，单通道内置 8 个独立存储体，支持多任务并发读写操作，运行效率高、吞吐能力强。采用 VFBGA-200 封装，集成度高、电气性能优异，多用于高端嵌入式系统、服务器模组、高性能计算设备等场景。

● 品牌：micron (镁光)

● 封装：VFBGA-200