IS61WV25616BLL-10TLI

● 型号：IS61WV25616BLL-10TLI

● 产品类型：并行高速静态随机存储器 (SRAM)

● 描述： 该存储芯片总容量为 4Mbit，存储架构为 256K×16bit，采用标准并行接口通信，数据位宽充足，读写传输效率高。工作电压范围 2.4V 至 3.6V，电压适配范围广，可适配主流数字电路供电体系。芯片存取速度快，运行稳定性强，抗干扰性能良好，具备可靠的数据临时存储能力。采用 TSOPII-44 表面贴装封装，引脚布局规范，装配便捷，多用于工控主板、嵌入式系统、通信设备、数据缓存等场景。

● 品牌：ISSI (美国芯成)

● 封装：TSOPII-44