EFC4612R-S-TR

● 型号：EFC4612R-S-TR

● 产品类型：低导通电阻双 N 沟道功率 MOSFET

● 描述： 该器件为安森美（onsemi）推出的共漏极双 N 沟道 MOSFET，专为 1–2 节锂离子电池系统设计，具备低导通电阻（RDS (on) 最大 45mΩ@3A,4.5V），可显著降低导通损耗与发热。核心参数：漏源电压 VDS=24V，连续源电流 IS=6A，脉冲电流 ISP=60A，支持 2.5V 低压驱动，适配便携式设备低电压控制场景。内置 ESD 保护二极管，提升抗静电能力；工作结温高达 150℃，可靠性强。采用超小型 XFBGA-4（EFCP1313-4CC-037）封装，占用 PCB 面积极小，适合空间受限的便携设备。主要用于锂电池充放电开关、负载开关、电源管理模块，广泛应用于智能手机、平板、无线耳机、可穿戴设备等 1–2 节锂电池供电场景。

● 品牌：onsemi (安森美)

● 封装：XFBGA-4