MT53E1G32D2FW-046AUT:B

● 型号：MT53E1G32D2FW-046 AUT:B

● 产品类型：超低电压高速存储芯片

● 描述： 该器件采用分级超低电压供电设计，区分核心与 I/O 供电域，适配低功耗应用场景。VDD1 供电区间为 1.70V 至 1.95V，典型工作电压 1.80V；VDD2 与常规 VDDQ 电压范围同为 1.06V 至 1.17V，标称值 1.10V，同时支持低功耗 VDDQ 模式，电压区间 0.57V 至 0.65V，典型电压 0.60V，多档位电压配置可灵活平衡性能与功耗。芯片电气设计稳定，电压容差范围合理，可适应不同供电方案。采用 14.5×10mm BGA-200 封装，引脚资源充足，结构紧凑，适用于移动终端、物联网设备、嵌入式低功耗系统、便携数码产品等对供电电压与功耗有严格要求的硬件电路。

● 品牌：micron (镁光)

● 封装：BGA-200 (14.5x10)