● 型号：CSD18540Q5B
● 产品类型：N 沟道功率 MOSFET
● 描述：该器件为单路 N 沟道 NexFET™功率管，耐压值达 60V，导通电阻仅 2.2mΩ，导通损耗极低。器件选用 5mm×6mm 规格的 VSON-8 封装，体积小巧，布局灵活。凭借优异的电气参数与封装特性，它具备开关速度快、载流能力强、散热表现良好的优势，可广泛应用于直流电源转换、电机驱动、负载开关等各类大功率电路中。
● 品牌：TI (德州仪器)
● 封装：VSON-8 (5x6)
