MRFE6VS25GNR1

● 型号：MRFE6VS25GNR1

● 产品类型：LDMOS 射频功率晶体管

● 描述：该器件为 N 沟道增强型横向 MOSFET，基于 NXP 增强型耐用工艺平台制造，工作频率覆盖 1.8–2000MHz，漏极电压 50V，连续波输出功率 25WNXP。具备高耐驻波、低热阻、集成稳定增强与 ESD 保护，未匹配设计支持宽带工作，符合 RoHS 规范。采用 SOT-1731-1（TO-270G-2）封装，适配卷带包装，适用于 ISM 频段、广播、航空及射频加热、等离子体发生等大功率射频场景。

● 品牌：NXP (恩智浦)

● 封装：SOT-1731-1