CSD18532Q5B

● 型号：CSD18532Q5B

● 产品类型：N 沟道 NexFET™功率 MOSFET

● 描述：该器件搭载 TI 自研 NexFET™工艺，额定耐压 60V，典型导通电阻仅 3.2mΩ，导通损耗极低。单通道设计具备优秀的大电流承载能力，开关速度快、反向恢复性能出色，整体热阻偏低，长期带载运行稳定性强。器件集成完善的防护特性，适配各类高压大电流开关应用场景。采用 5mm×6mm 规格的 SON-8 贴片封装，体积小巧、布局灵活，同时拥有良好的散热表现，常用于直流电源转换、电机驱动、负载开关、工业配电以及电池管理等功率电路中。

● 品牌：TI (德州仪器)

● 封装：SON-8 (5x6)